VS-HFA08TB120S-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-HFA08TB120S-M3 | VS-HFA08TB120S-M3 Inventory, Best Pricing

VS-HFA08TB120S-M3

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	VS-HFA08TB120S-M3
LIXINC Part #	VS-HFA08TB120S-M3
الصانع	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الثنائيات - المقومات - مفردة
وصف	DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	VS-HFA08TB120S-M3 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 22 - Oct 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

VS-HFA08TB120S-M3 تحديد

رقم القطعة:	VS-HFA08TB120S-M3
ماركة:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الثنائيات - المقومات - مفردة
الصانع:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
مسلسل:	HEXFRED®
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الصمام الثنائي:	Standard
الجهد - عكس التيار المستمر (vr) (الحد الأقصى):	1200 V
التيار - المتوسط المعدل (io):	8A (DC)
الجهد - للأمام (vf) (كحد أقصى) @ إذا:	4.3 V @ 16 A
سرعة:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	95 ns
التيار - عكس التسرب @ vr:	10 µA @ 1200 V
السعة @ vr ، f:	-
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد:	TO-263AB (D²PAK)
درجة حرارة التشغيل - مفترق طرق:	-55°C ~ 150°C

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015