RFN1LAM6STR | ROHM Semiconductor RFN1LAM6STR | RFN1LAM6STR Inventory, Best Pricing

RFN1LAM6STR

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	RFN1LAM6STR
LIXINC Part #	RFN1LAM6STR
الصانع	ROHM Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الثنائيات - المقومات - مفردة
وصف	DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	RFN1LAM6STR بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 20 - Oct 24 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

RFN1LAM6STR تحديد

رقم القطعة:	RFN1LAM6STR
ماركة:	ROHM Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الثنائيات - المقومات - مفردة
الصانع:	ROHM Semiconductor
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الصمام الثنائي:	Standard
الجهد - عكس التيار المستمر (vr) (الحد الأقصى):	600 V
التيار - المتوسط المعدل (io):	800mA
الجهد - للأمام (vf) (كحد أقصى) @ إذا:	1.45 V @ 800 mA
سرعة:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
وقت الاسترداد العكسي (trr):	35 ns
التيار - عكس التسرب @ vr:	1 µA @ 600 V
السعة @ vr ، f:	-
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	SOD-128
حزمة جهاز المورد:	PMDTM
درجة حرارة التشغيل - مفترق طرق:	150°C (Max)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015