SI4435DYTR | IR (Infineon Technologies) SI4435DYTR | SI4435DYTR Inventory, Best Pricing

SI4435DYTR

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SI4435DYTR
LIXINC Part #	SI4435DYTR
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SI4435DYTR بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 22 - Sep 26 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SI4435DYTR تحديد

رقم القطعة:	SI4435DYTR
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	8A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	20mOhm @ 8A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	60 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2320 pF @ 15 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-SO
حزمة / حالة:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015