FQB4N20LTM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB4N20LTM

FQB4N20LTM

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	FQB4N20LTM
LIXINC Part #	FQB4N20LTM
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	FQB4N20LTM بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

FQB4N20LTM تحديد

رقم القطعة:	FQB4N20LTM
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	QFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	200 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	3.8A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	5V, 10V
rds on (max) @ id، vgs:	1.35Ohm @ 1.9A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	5.2 nC @ 5 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	310 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.13W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	D²PAK (TO-263AB)
حزمة / حالة:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015