SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI7703EDN-T1-GE3 | SI7703EDN-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI7703EDN-T1-GE3

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SI7703EDN-T1-GE3
LIXINC Part #	SI7703EDN-T1-GE3
الصانع	Vishay / Siliconix
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SI7703EDN-T1-GE3 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 10 - Oct 14 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SI7703EDN-T1-GE3 تحديد

رقم القطعة:	SI7703EDN-T1-GE3
ماركة:	Vishay / Siliconix
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Vishay / Siliconix
مسلسل:	TrenchFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	P-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	20 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	4.3A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id، vgs:	48mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs (th) (max) @ id:	1V @ 800µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (ماكس):	±12V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	-
ميزة فيت:	Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (حد أقصى):	1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PowerPAK® 1212-8
حزمة / حالة:	PowerPAK® 1212-8

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015