IPD12CNE8N G | IR (Infineon Technologies) IPD12CNE8N G | IPD12CNE8N G Inventory, Best Pricing

IPD12CNE8N G

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IPD12CNE8N G
LIXINC Part #	IPD12CNE8N G
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IPD12CNE8N G بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IPD12CNE8N G تحديد

رقم القطعة:	IPD12CNE8N G
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	OptiMOS™
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	85 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	67A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	12.4mOhm @ 67A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 83µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	4340 pF @ 40 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	PG-TO252-3
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015