TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
وصف	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TPC8212-H(TE12LQ,M بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 25 - Sep 29 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TPC8212-H(TE12LQ,M تحديد

رقم القطعة:	TPC8212-H(TE12LQ,M
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - المصفوفات
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	2 N-Channel (Dual)
ميزة فيت:	Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	30V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	6A
rds on (max) @ id، vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	840pF @ 10V
أقصى القوة:	450mW
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد:	8-SOP (5.5x6.0)

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015