RN2105MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	RN2105MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2105MFV,L3F
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - ثنائية القطب (bjt) - مفردة ، متحيزة مسبقًا
وصف	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	RN2105MFV,L3F بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 06 - Oct 10 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

RN2105MFV,L3F تحديد

رقم القطعة:	RN2105MFV,L3F
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - ثنائية القطب (bjt) - مفردة ، متحيزة مسبقًا
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	-
طَرد:	Tape & Reel (TR)
حالة الجزء:	Active
نوع الترانزستور:	PNP - Pre-Biased
جامع التيار (ic) (حد أقصى):	100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (حد أقصى):	50 V
المقاوم - القاعدة (r1):	2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة باعث (r2):	47 kOhms
الكسب الحالي للتيار المستمر (hfe) (دقيقة) @ ic ، vce:	80 @ 10mA, 5V
vce تشبع (حد أقصى) @ ib، ic:	300mV @ 500µA, 5mA
التيار - قطع الجامع (حد أقصى):	100nA (ICBO)
التردد - الانتقال:	-
أقصى القوة:	150 mW
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة / حالة:	SOT-723
حزمة جهاز المورد:	VESM

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015