FQP32N12V2 | Rochester Electronics FQP32N12V2 | FQP32N12V2 Inventory, Best Pricing

FQP32N12V2

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	FQP32N12V2
LIXINC Part #	FQP32N12V2
الصانع	Rochester Electronics
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	FQP32N12V2 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

FQP32N12V2 تحديد

رقم القطعة:	FQP32N12V2
ماركة:	Rochester Electronics
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Rochester Electronics
مسلسل:	QFET®
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Obsolete
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	120 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	32A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	50mOhm @ 16A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1.86 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-220-3
حزمة / حالة:	TO-220-3

IXFH52N50P2	MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD	843 المزيد عند الطلب
SIHF22N65E-GE3	MOSFET N-CH 650V 22A TO220	846 المزيد عند الطلب
IRFU1N60APBF	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA	3402 المزيد عند الطلب
IRFIBE30GPBF	MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3	1636 المزيد عند الطلب
FDB603AL	N-CHANNEL POWER MOSFET	40093 المزيد عند الطلب
IXFT320N10T2	MOSFET N-CH 100V 320A TO268	1355 المزيد عند الطلب
BB502CBS-TL-H	RF N-CHANNEL MOSFET	60972 المزيد عند الطلب
IRFR24N15DPBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	6431 المزيد عند الطلب
IRFF232	N-CHANNEL POWER MOSFET	1144 المزيد عند الطلب
SIRA88DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8	1510 المزيد عند الطلب
IRF2204PBF	MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB	934 المزيد عند الطلب
IPP037N08N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	997 المزيد عند الطلب
SI7370DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8	1414 المزيد عند الطلب

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.59000	$0.59

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015