FCD360N65S3R0 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	FCD360N65S3R0
LIXINC Part #	FCD360N65S3R0
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	FCD360N65S3R0 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Aug 15 - Aug 19 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

FCD360N65S3R0 تحديد

رقم القطعة:	FCD360N65S3R0
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	SuperFET® III
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	650 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	10A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	360mOhm @ 5A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4.5V @ 1mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	730 pF @ 400 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	D-PAK (TO-252)
حزمة / حالة:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015