TK31N60W5,S1VF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	TK31N60W5,S1VF
LIXINC Part #	TK31N60W5,S1VF
الصانع	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	TK31N60W5,S1VF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

TK31N60W5,S1VF تحديد

رقم القطعة:	TK31N60W5,S1VF
ماركة:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
مسلسل:	DTMOSIV
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	600 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	30.8A (Ta)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	99mOhm @ 15.4A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4.5V @ 1.5mA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	3000 pF @ 300 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-247
حزمة / حالة:	TO-247-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015