SCT30N120 | STMicroelectronics SCT30N120 | SCT30N120 Inventory, Best Pricing

SCT30N120

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	SCT30N120
LIXINC Part #	SCT30N120
الصانع	STMicroelectronics
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	SCT30N120 بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

SCT30N120 تحديد

رقم القطعة:	SCT30N120
ماركة:	STMicroelectronics
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	STMicroelectronics
مسلسل:	-
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	1200 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	40A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	20V
rds on (max) @ id، vgs:	100mOhm @ 20A, 20V
vgs (th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA (Typ)
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 20 V
vgs (ماكس):	+25V, -10V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1700 pF @ 400 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	270W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	HiP247™
حزمة / حالة:	TO-247-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015