IRFH5210TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5210TRPBF | IRFH5210TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5210TRPBF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IRFH5210TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5210TRPBF
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IRFH5210TRPBF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 09 - Oct 13 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IRFH5210TRPBF تحديد

رقم القطعة:	IRFH5210TRPBF
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	100 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	10A (Ta), 55A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 100µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	59 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	2570 pF @ 25 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-PQFN (5x6)
حزمة / حالة:	8-PowerVDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015