NVTFS6H850NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	NVTFS6H850NTAG
LIXINC Part #	NVTFS6H850NTAG
الصانع	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	NVTFS6H850NTAG بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Sep 21 - Sep 25 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

NVTFS6H850NTAG تحديد

رقم القطعة:	NVTFS6H850NTAG
ماركة:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
مسلسل:	Automotive, AEC-Q101
طَرد:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	80 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	11A (Ta), 68A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	4V @ 70µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±20V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	1140 pF @ 40 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	3.2W (Ta), 107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Surface Mount
حزمة جهاز المورد:	8-WDFN (3.3x3.3)
حزمة / حالة:	8-PowerWDFN

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015