IRFP4668PBF | IR (Infineon Technologies) IRFP4668PBF | IRFP4668PBF Inventory, Best Pricing

IRFP4668PBF

تكبير

للاشارة فقط

رقم القطعة	IRFP4668PBF
LIXINC Part #	IRFP4668PBF
الصانع	IR (Infineon Technologies)
فئة	أشباه الموصلات المنفصلة › الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
وصف	MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
دورة الحياة	نشيط
بنفايات	لا توجد معلومات RoHS
نماذج EDA / CAD	IRFP4668PBF بصمة PCB والرمز
المستودعات	الولايات المتحدة الأمريكية ، أوروبا ، الصين ، منطقة هونغ كونغ الإدارية الخاصة
التوصيل المتوقع	Oct 07 - Oct 11 2024(اختر الشحن السريع)
ضمان	ما يصل إلى عام واحد [ضمان محدود]*
قسط
شحن

IRFP4668PBF تحديد

رقم القطعة:	IRFP4668PBF
ماركة:	IR (Infineon Technologies)
دورة الحياة:	Active
بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
فئة:	أشباه الموصلات المنفصلة
تصنيف فرعي:	الترانزستورات - fets ، mosfets - واحد
الصانع:	IR (Infineon Technologies)
مسلسل:	HEXFET®
طَرد:	Tube
حالة الجزء:	Active
نوع الجنين:	N-Channel
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (vdss):	200 V
تيار - استنزاف مستمر (معرف) @ 25 درجة مئوية:	130A (Tc)
محرك الجهد (أقصى rds on ، min rds on):	10V
rds on (max) @ id، vgs:	9.7mOhm @ 81A, 10V
vgs (th) (max) @ id:	5V @ 250µA
شحنة البوابة (qg) (max) @ vgs:	241 nC @ 10 V
vgs (ماكس):	±30V
سعة الإدخال (ciss) (حد أقصى) @ vds:	10720 pF @ 50 V
ميزة فيت:	-
تبديد الطاقة (حد أقصى):	520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب:	Through Hole
حزمة جهاز المورد:	TO-247AC
حزمة / حالة:	TO-247-3

نصائح دافئة: يرجى ملء النموذج أدناه. سنتواصل معك بأقرب وقت ممكن.

ستقدم لك Lixinc أكثر الأسعار تنافسية ، يرجى الرجوع إلى عروض الأسعار.

[email protected]

LIXINC

أرسل رسالة

لا تتردد في الاتصال بنا للحصول على مزيد من التفاصيل.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015